理_1668504500.png)
據(jù)轉(zhuǎn)換器_1668504554.png)
置_觸覺反饋_1708505730.png)
品_1668504627.png)
_1668506515.png)
動_1672903565.png)
備開發(fā)_1668506951.png)
工具_1668506968.png)
計服務(wù)_1668507003.png)
量-3_1668507445.png)
系_1668507465.png)
題-8_1668592008.jpg)
CSWrite8 V3.3.4
1、新增型號：CS8M326、CS8M321、CS8M330、CS8M323
2、18FX88增加EEPROM擦除功能
3、安裝3.3.4以后的版本時，請確保CSWrite8、CSWrite32、CSWriteBLE不在同一個文件夾下，否則可能導(dǎo)致其他版本被覆蓋掉
4、CSWrite8 V3.3.4 適用于芯海8位MCU/SoC
產(chǎn)品
產(chǎn)品概述 收藏
CS8M326
集成12 位ADC 的8 位Flash MCU
CS8M326C 內(nèi)置4K×16 位Flash、232 字節(jié)SRAM、12 位ADC、定時器。工作溫度-40℃~85℃，工作電壓2.2V~5.5V。適用于電子煙、個人護理等消費類電子產(chǎn)品。
8 位RISC 內(nèi)核
- 43 條單字指令
- 8 級PC 存儲堆棧，8 級PUSH 和POP 堆棧
- 8 級PC 存儲堆棧，8 級PUSH 和POP 堆棧
存儲器
- 內(nèi)置4K×16 位Flash 程序存儲器
- 232 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器(SRAM)
- 232 字節(jié)數(shù)據(jù)存儲器(SRAM)
工作環(huán)境
- VDD 電壓：2.4V~5.5V@fcpu=4MHz(指令周期)
- VDD 電壓：2.2V~5.5V@fcpu=2MHz(指令周期)
- 工作溫度：-40~85 oC
- VDD 電壓：2.2V~5.5V@fcpu=2MHz(指令周期)
- 工作溫度：-40~85 oC
復(fù)位及電源管理
- 上電復(fù)位(POR)
- 低電壓復(fù)位(LVR)或低電壓檢測(LVD)可配，支
持2.15V/2.55V/2.8V
- 休眠模式，功耗低至1.5μA
- 低電壓復(fù)位(LVR)或低電壓檢測(LVD)可配，支
持2.15V/2.55V/2.8V
- 休眠模式，功耗低至1.5μA
振蕩器
- 內(nèi)帶16MHz 振蕩器(HIRC)，典型±1%精度
- 內(nèi)部32KHz 振蕩器(LIRC)，典型±10%精度
- 內(nèi)部32KHz 振蕩器(LIRC)，典型±10%精度
定時器
- 8 位定時器0
- 12 位定時器2，支持PWM 輸出
- 12 位定時器3，3 路8 位或2 路12 位PWM 輸出
- 獨立看門狗定時器(WDT)
- 12 位定時器2，支持PWM 輸出
- 12 位定時器3，3 路8 位或2 路12 位PWM 輸出
- 獨立看門狗定時器(WDT)
中斷
- 11 個內(nèi)部中斷
- 2 個外部中斷——INT0、INT1
- 2 個外部中斷——INT0、INT1
封裝
- QFN20
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收起
技術(shù)文檔
產(chǎn)品手冊(2)
工具/軟件
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CS8M321-CS8M326-EVAL-Lite評估板
CS8M321-CS8M326-EVAL-Lite是基于8位MCU CS8M321F3V6CT的開發(fā)評估板，同時可以貼CS8M326F2V6CT芯片，用于評估CS8M321、CS8M326系列MCU。CS8M321-CS8M326-EVAL-Lite可使用 USB TypeC接口供電，可使用CS-Link調(diào)試器，包含2個按鍵、一個電位器、ADC濾波電路和LED燈板接口等。
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CSU-IDE V6.0.6
CSU-IDEV6.0.5更新如下
1、增加H1X系列型號
2、更新CS8P320/CS8P322頭文件
3、更新CS8M320/CS8M330頭文件
4、更新CS8M321/CS8M326頭文件
5、更新CS8M321/CS8M326/CS8M330代碼選項，修改LVD/LVR顯示名稱和默認值
6、更新ICD時序0.17，適配新的芯片型號，優(yōu)化CSLink進入燒錄模式的時序，提高兼容性